실험1예비보고서. 접합 다이오드의 特性(특성)
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작성일 21-08-03 16:13
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실리콘의 전기 전도도도는 미량의 특정 ‘불순물(impurity)’을 첨가함으로써 증가될 수 있따 불순물의 종류와 양을 정해 첨가하는 것을 도핑(doping)이라고 하며, 도핑은 반도체 원소의 원자 내 전자 결합 구조를 change(변화)시켜 전류에 기여하는 캐리어(carrier)를 제공함으로써 반도체의 전기 전도도를 증가시킨다. 즉 비저항이 크다.
저항계로 접합 다이오드를 시험한다. 즉 비저항이 크다.
접합 다이오드의 전압-전류 特性을 實驗(실험)적으로 측정(測定) 하고 이를 그래프로 도시한다. 그 예로는 transistor, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로, 금속 정류기 등을 들 수 있따 이런 반도체 소자는 많은 제어 기능을 수행하며 증폭기 , 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용 될 수 있따
현재 대부분의 반도체 소자는 실리콘(Si)으로 만들어지고 있따 실리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야 한다. 그 예로는 transistor, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로, 금속 정류기 등을 들 수 있따 이런 반도체 소자는 많은 제어 기능을 수행하며 증폭기 , 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용 될 수 있따
현재 대부분의 반도체 소자는 실리콘(Si)으로 만들어지고 있따 실리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야 한다. 외부의 E를 얻어 결합 밖으로 …(skip)
실험1예비보고서. 접합 다이오드의 特性(특성)
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실험결과/기타
설명
다.
Ⅱ.배경지식 및 내용
반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체를 말한다. 게다가 외부의 E를 얻은 전자들도 결합 밖으로 나오면서 자유전자의 수는 정공(hole)의 수보다 많아진다.
접합 다이오드의 전압-전류 特性을 實驗(실험)적으로 측정(測定) 하고 이를 그래프로 도시한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기 전도도를 갖는다.
Si에 비소(As), 안티몬(Sb)와 같은 5족 원소를 도핑시키면 N형 반도체를 만들 수 있따 Si와 5족 원소가 공유결합을 하는데, 5족 원소로부터 공유결합에 관여하지 않는 과잉전자가 1개 발생한다. 실리콘의 전기 전도도도는 미량의 특정 ...
전자회로 설계 및 實驗(실험)Ⅰ 예비보고서
(實驗(실험)1. 접합 다이오드의 特性)
Ⅰ.實驗(실험)목적
순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 influence(영향)을 측정(測定) 한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기 전도도를 갖는다.
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실험1예비보고서. 접합 다이오드의 特性(특성)
전자회로 설계 및 實驗(실험)Ⅰ 예비보고서
(實驗(실험)1. 접합 다이오드의 特性)
Ⅰ.實驗(실험)목적
순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 influence(영향)을 측정(測定) 한다.
저항계로 접합 다이오드를 시험한다.
Ⅱ.배경지식 및 내용
반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체를 말한다. N형 반도체에서 정공은 소수 캐리어가 되고, 다수 캐리어는 자유전자가 된다
Si에 인(P), 갈륨(Ga)와 같은 3족 원소를 도핑시키면 P형 반도체를 만들 수 있따 N형 반도체와 반대로 Si와 3족 원소 사이의 공유결합에서는 전자가 부족해 정공이 만들어진다.
