[工學(공학) ,기술] 반도체공정 test(실험) - Dry etching
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작성일 25-11-07 16:32
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2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다. 이번 實驗에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 變化(변화)를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 影響을 받는지 확인하고자 한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 反應(반응) 야기)와
Ar gas(물리적 反應(반응) 야기)를 주…(To be continued )
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설명
[工學(공학) ,기술] 반도체공정 test(실험) - Dry etching
공학,기술,반도체공정,실험,Dry,etching,기타,실험과제
다.
4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다. 實驗 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2. 實驗 방법
가. 實驗 변수
전원의 세기
식각 시간
나머지 변인
300 W
3 min
모두 동일
5 min
7 min
나. 實驗 준비물
Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다.
5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다.
실험과제/기타
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實驗: Dry etching
1. 實驗 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정(measurement)한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정(measurement))
3) ICP 장비의 反應(반응) Chamber에 시료를 넣는다.
